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Pó de carboneto de silício 99,99% puro, granulometrias de 0,2 μm, 0,5 μm e 1 μm.

O pó de carboneto de silício a 99,99% é um pó de SiC de elevada pureza preparado por ablação por aerossol. O carboneto de silício em nanoescala apresenta uma elevada área superficial específica, elevada resistência, elevada dureza, propriedades químicas estáveis, baixo coeficiente de expansão térmica e boa condutividade térmica. É amplamente utilizado em nanomateriais, pós finos, cerâmicas especiais e materiais compósitos.

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Pó de carboneto de silício 99,99% puro, granulometrias de 0,2 μm, 0,5 μm e 1 μm.

O pó de carboneto de silício a 99,99% é um pó de SiC de elevada pureza preparado por ablação por aerossol. O carboneto de silício em nanoescala apresenta uma elevada área superficial específica, elevada resistência, elevada dureza, propriedades químicas estáveis, baixo coeficiente de expansão térmica e boa condutividade térmica. É amplamente utilizado em nanomateriais, pós finos, cerâmicas especiais e materiais compósitos.

Pó de SiC com uma pureza de 99,99%.

Pó de SiC 0,2 μm

Característica:
  1. Carbeto de silício de elevada pureza. A pureza do nanopó de SiC é superior a 99%, e está disponível com um teor de carboneto de silício de 99% a 99,99% (pó de SiC 3N e 4N).
  2. O pó de carboneto de silício nanoestruturado apresenta uma elevada finura e pode ser produzido com uma granulometria de 30 nm a 500 nm. É também possível personalizar o carboneto de silício nanoestruturado para moagem, com uma distribuição granulométrica estreita.
  3. Tanto o pó de α-SiC como o de β-SiC podem ser personalizados e produzidos de acordo com as necessidades.
  4. O pó de carboneto de silício nanoestruturado possui propriedades químicas estáveis ​​e elevada resistência à corrosão a altas temperaturas e a solventes ácidos e alcalinos.
  5. O carboneto de silício em nanoescala possui uma elevada dureza e uma resistência superior ao desgaste.
  6. O nanopó de SiC possui uma elevada largura de banda proibida, bem como características de elevado campo elétrico crítico de rutura e elevada condutividade térmica.
Índice técnico do pó de Nano SiC:
estrutura cristalina Cúbico Hexagonal
Fase cristalina b um
Ponto de fusão 2700° 2400°
Temperatura de decomposição 2830°±40° dissociar a 2600°
Coeficiente de dilatação térmica 2,5-7 x10 -6 /°C 7-9 x10 -6 /°C
Condutividade térmica 0,255 W/cm K 0,410 W/cm K
Dureza de Mohs 9,5-9,75 9,4-9,5
Dureza Vickers (microdureza) 3300-3500 kg/mm² 3200-3400 kg/mm²
Lacuna de Banda 2,2 eV 2,86 eV
Permissividade relativa 9,72 e 9,66-10,03 anos
Mobilidade eletrónica >1000 460

 

Índice ICP:
Cu (ppm) 7
Fe (ppm) 5
Cr (ppm) 1
Ni(ppm) 6
Co(ppm) 5
Zn (ppm) 3
Al (ppm) 2
Mg (ppm) 3
Na (ppm) 1
W(ppm) 1
V (ppm) 4
FC (ppm) 50
N (ppm) 5

 

Especificação do pó de carboneto de silício 99,99%:

50nm, 200nm, 500nm, 1µm, etc.

 

Aplicação:
  1. Pós avançados para moagem e polimento, especialmente na área de semicondutores.
  2. Matérias-primas para ferramentas de retificação de precisão.
  3. Cargas resistentes ao desgaste para materiais de nylon modificado, plásticos de engenharia, borracha, etc.
  4. Cerâmicas funcionais avançadas especiais e cerâmicas estruturais.
  5. Aditivos para revestimentos resistentes ao desgaste, revestimentos em pó e nanorrevestimentos.
  6. Componentes de materiais elétricos.
  7. Materiais refractários de alto desempenho.

 

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