Carboneto de silício preto lavado com água F100 para resistor de carboneto de silício semicondutor
O carboneto de silício preto F100 lavado com água é uma areia fina de carboneto de silício produzida através de fusão a alta temperatura, trituração, lavagem ácida e alcalina e purificação gradual. Cumpre os requisitos de válvulas resistivas de carboneto de silício para semicondutores (varistores/resistências de magnetização). Apresenta diversas vantagens: elevada pureza e baixo teor de impurezas, propriedades elétricas controláveis, forte estabilidade térmica, estrutura densa, resistência à intempérie e durabilidade.
I. Alta pureza e baixo teor de impurezas, desempenho elétrico estável
– Elevada pureza. Após lavagem e purificação com água, o teor de SiC é ≥99%, carbono livre (FC) ≤0,2%, óxido de ferro (Fe₂O₃) ≤0,4% e apresenta impurezas metálicas extremamente baixas.
Baixa impureza e propriedades elétricas controladas. Uma grande quantidade de impurezas magnéticas, como o ferro e o alumínio, é removida, reduzindo a corrente de fuga e evitando a corrosão eletroquímica localizada. As características de resistência não linear da válvula são mais estáveis, com menor tensão residual e resposta mais rápida.
– Consistência do lote. Os processos de lavagem com água e de classificação garantem um tamanho de partícula concentrado (125–150 μm), partículas limpas e sem aglomeração. Isto resulta numa dispersão de baixa resistividade e numa alta consistência do lote.
II. Características controláveis do semicondutor, excelente resposta do varistor
– Semicondutor de banda larga proibida. O carboneto de silício preto possui inerentemente características de varistor não linear; a resistência diminui rapidamente com mudanças repentinas no campo elétrico, absorvendo os surtos com precisão e proporcionando uma proteção fiável contra sobretensão.
– Adaptabilidade do tamanho das partículas nº 100. As partículas grossas (125–150 μm) formam uma rede condutora estável, equilibrando a capacidade de condução da válvula e a tensão nominal suportável, sendo adequadas para a moldagem de válvulas de resistência de média e alta tensão.
– Resistividade regulável. A pureza e o tamanho das partículas controláveis permitem o ajuste da resistividade da válvula (10¹～10⁵Ω·cm), adaptando-se a dispositivos de proteção com diferentes níveis de tensão.
III. Elevada condutividade térmica + elevada estabilidade térmica, forte dissipação de calor e resistência à temperatura.
– Elevada condutividade térmica. Condutividade térmica de aproximadamente 490 W/(m·K) (3 vezes superior à do silício, 1,5 vezes superior à do cobre), dissipando rapidamente o calor da corrente de pico, prevenindo a ruptura térmica da placa da válvula e prolongando a sua vida útil.
– Elevada resistência à temperatura. Ponto de fusão de 2250 °C, temperatura de funcionamento contínuo até 1900 °C, propriedades elétricas/mecânicas que não se degradam a altas temperaturas, adequado para aplicações de alta temperatura e alta frequência.
– Baixa dilatação térmica. Baixo coeficiente de expansão térmica, menos propenso a fissuras e deformações sob diferenças de temperatura, estrutura estável da placa da válvula e forte resistência ao choque térmico.
