99-99,99% pó Nano SiC 10000#20000#30000#
99-99,99% Pó Nano SiC 10000#20000#30000# refere-se a pó extrafino com tamanho de partícula de nanómetro. A pureza do SiC é de até 99% e 99,99%. O processo de produção do nanocarboneto de silício é diferente do método Acheson, mas é sintetizado através de reações químicas. O pó Nano SiC tem características de alta resistência, alta dureza e alta pureza. É amplamente utilizado nas áreas de nanomateriais, pós de moagem, cerâmicas especiais, materiais compósitos, etc.
Características do pó 99-99,99% Nano SiC
- Alta pureza de carboneto de silício. A pureza do pó de nano carboneto de silício é superior a 99%, e o SiC com uma pureza de 99% -99,99% está disponível com produção personalizada.
- O pó de nano carboneto de silício tem uma elevada precisão e pode ser produzido de 30 nm a 500 nm.
- Tanto o pó alfa SiC como o beta SiC personalizados estão disponíveis de acordo com os requisitos.
- O pó Nano SiC possui propriedades químicas estáveis e elevada resistência à corrosão a alta temperatura e solventes ácidos alcalinos.
- O pó de nano carboneto de silício possui uma elevada dureza e uma resistência ao desgaste superior.
- O pó Nano SiC possui um elevado bandgap, bem como características de elevado campo elétrico de rutura crítica e elevada condutividade térmica.
Índice técnico do pó Nano SiC:
| estrutura cristalina | Cúbico | Hexagonal |
| Fase cristalina | b | um |
| Ponto de fusão | 2700° | 2400° |
| Temperatura de decomposição | 2830°±40° | 2600° dissociar |
| Coeficiente de dilatação térmica | 2,5-7 x10 -6 /°C | 7-9 x10 -6 /°C |
| Condutividade térmica | 0,255 W/cm K | 0,410 W/cm K |
| Dureza de Mohs | 9,5-9,75 | 9,4-9,5 |
| Dureza Vickers (microdureza) | 3300-3500kg/mm2 | 3200-3400kg/mm2 |
| Gap de banda | 2,2 eV | 2,86 eV |
| Permissividade relativa | 9,72e | 9.66-10.03e |
| Mobilidade eletrónica | >1000 | 460 |
Especificações:
| Especificações. | Tamanho médio das partículas | Conteúdo SiC | Frase | Cor |
| β-SiC50nm | 50 nm | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde escuro |
| β-SiC80nm | 80 nm | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde escuro |
| β-SiC150nm | 150 nm | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde escuro |
| β-SiC500nm | 500 nm | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde cinza |
| β-SiC700nm | 700 nm | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde cinza |
| β-SiC800nm | 800 nm | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde cinza |
| β-SiC1um | 1um | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC3um | 3um | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC5um | 5um | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC8um | 20h | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde |
| β-SiC10um | 10h | 99%/99,9%/99,99% | β-SiC | Verde |
| α-SiC500nm | 500 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde cinza |
| α-SiC700nm | 700 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde cinza |
| α-SiC800nm | 800 nm | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde cinza |
| α-SiC1um | 1um | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde amarelo |
| α-SiC3um | 3um | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde amarelo |
| α-SiC5um | 5um | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde amarelo |
| α-SiC8um | 20h | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde amarelo |
| α-SiC10um | 10h | 99% / 99,9% | α-SiC | Verde amarelo |
*Outras especificações personalizadas estão disponíveis mediante pedido.
Cenários de aplicação:
- Pós avançados de retificação e polimento, especialmente na indústria de semicondutores.
- Materiais nanocompósitos, como resinas modificadas, revestimentos de nanocarbonetos de silício, etc.
- Supercondensadores.
- Catalisadores e materiais absorventes
- Materiais de impressão 3D
- Materiais refratários de alto desempenho
- Materiais cerâmicos industriais avançados especiais
- Semicondutores de banda larga larga de terceira geração
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