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Pó de carboneto de silício Beta SiC de elevada pureza, 4N, 5N, com granulometrias de 2μm, 5μm e 10μm.

O carboneto de silício beta de alta pureza é um carboneto de silício na fase β com uma pureza de 5N ou superior. O carboneto de silício cúbico na fase β possui uma estrutura cristalina cúbica 3C e a sua morfologia cristalina única confere-lhe uma dureza próxima da do diamante, com uma dureza de Mohs de 9,5 a 9,75. O pó de carboneto de silício β de alta pureza é produzido através de métodos de termoendurecimento a alta temperatura e de deposição química de vapor (CVD). O produto apresenta uma elevada pureza, um elevado teor de fase beta, um tamanho de partícula controlável, uma excelente atividade de sinterização e uma boa dispersibilidade. Simultaneamente, o carboneto de silício cúbico possui excelentes propriedades físico-químicas, tais como elevada condutividade térmica, elevada velocidade de deriva eletrónica, elevada mobilidade eletrónica, resistência à corrosão e boa resistência ao choque térmico. É amplamente utilizado nas indústrias aeroespacial, de cerâmica de alta tecnologia, de baterias de novas energias, de tratamento de superfícies e de semicondutores.

$74,900.00 – $100,000.00 / MT

Pó de carboneto de silício Beta SiC de elevada pureza, 4N, 5N, com granulometrias de 2μm, 5μm e 10μm.

O pó de carboneto de silício beta de alta pureza (4N, 5N, 2μm, 5μm, 10μm) é um carboneto de silício na fase β com uma pureza de 5N ou superior. O carboneto de silício cúbico na fase β possui uma estrutura cristalina cúbica 3C e a sua morfologia cristalina única confere-lhe uma dureza próxima da do diamante, com uma dureza de Mohs de 9,5 a 9,75. O pó de carboneto de silício β de alta pureza é produzido através de métodos de termoendurecimento a alta temperatura e de deposição química de vapor (CVD). O produto apresenta uma elevada pureza, um elevado teor de fase beta, um tamanho de partícula controlável, uma excelente atividade de sinterização e uma boa dispersibilidade. Simultaneamente, o carboneto de silício cúbico possui excelentes propriedades físico-químicas, tais como elevada condutividade térmica, elevada velocidade de deriva eletrónica, elevada mobilidade eletrónica, resistência à corrosão e boa resistência ao choque térmico. É amplamente utilizado nas indústrias aeroespacial, de cerâmica de alta tecnologia, de baterias de novas energias, de tratamento de superfícies e de semicondutores.

Características de desempenho do pó de carboneto de silício Beta SiC de alta pureza 4N 5N com granulometrias de 2μm, 5μm e 10μm:

  1. Alta pureza, com pureza do produto a atingir 5N ou superior.
  2. Teor de fase cúbica até 99%, forma cristalina de fase β pura.
  3. Morfologia: Partículas esféricas com uma vasta gama de tamanhos selecionáveis.
  4. Baixo teor de oxigénio, inferior a 0,3%.
  5. Boa atividade de sinterização e fácil dispersão.
  6. Excelente resistência a altas temperaturas, ao desgaste, à corrosão e ao choque térmico.

Índice físico do pó de carboneto de silício Beta SiC de alta pureza 4N 5N com granulometrias de 2μm, 5μm e 10μm.

estrutura cristalina Cúbico
Fase cristalina b
Conteúdo β ≥99%
Ponto de fusão 2700°
Temperatura de decomposição 2830°±40°
Coeficiente de dilatação térmica 2,5-7 x10 -6 /°C
Condutividade térmica 0,255 W/cm K
Dureza de Mohs 9,5-9,75
Dureza Vickers (microdureza) 3300-3500 kg/mm²
Gravidade específica 3,216 g/cm³

 

Especificação.

Especificação. Tamanho Pureza do SiC (%) percentagem β Forma
5N-βSiC-100nm 100nm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-300nm 300nm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-500nm 500nm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-2um 2um 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-5um 5µm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-10um 10 µm 5N ≥99% subesférico
5N-βSiC-10um 50 µm 5N ≥99% subesférico
7N-βSiC-G 1-10 mm 7N ≥99% Partícula

 

Aplicação de pó de carboneto de silício Beta SiC de alta pureza 4N 5N com granulometrias de 2μm, 5μm e 10μm.

  1. Moagem fina
  2. Cerâmica de carboneto de silício de precisão
  3. Novas baterias de energia
  4. Semicondutores
  5. Revestimentos especiais
  6. Materiais de alta temperatura
  7. Componentes eletrónicos

 

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