Pó de SiC 5N, carboneto de silício beta cúbico, 100 nm, 300 nm, 500 nm
O carboneto de silício beta de alta pureza é um carboneto de silício na fase β com uma pureza de 5N ou superior. O carboneto de silício cúbico na fase β possui uma estrutura cristalina cúbica 3C e a sua morfologia cristalina única confere-lhe uma dureza próxima da do diamante, com uma dureza de Mohs de 9,5 a 9,75. O pó de carboneto de silício β de alta pureza é produzido através de métodos de termoendurecimento a alta temperatura e de deposição química de vapor (CVD). O produto apresenta uma elevada pureza, um elevado teor de fase beta, um tamanho de partícula controlável, uma excelente atividade de sinterização e uma boa dispersibilidade. Simultaneamente, o carboneto de silício cúbico possui excelentes propriedades físico-químicas, tais como elevada condutividade térmica, elevada velocidade de deriva eletrónica, elevada mobilidade eletrónica, resistência à corrosão e boa resistência ao choque térmico. É amplamente utilizado nas indústrias aeroespacial, de cerâmica de alta tecnologia, de baterias de novas energias, de tratamento de superfícies e de semicondutores.
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Características de desempenho do pó de SiC 5N (carbeto de silício beta cúbico):
- Alta pureza, com pureza do produto a atingir 5N ou superior.
- Teor de fase cúbica até 99%, forma cristalina de fase β pura.
- Morfologia: Partículas esféricas com uma vasta gama de tamanhos selecionáveis.
- Baixo teor de oxigénio, inferior a 0,3%.
- Boa atividade de sinterização e fácil dispersão.
- Excelente resistência a altas temperaturas, ao desgaste, à corrosão e ao choque térmico.
Índice físico
| estrutura cristalina | Cúbico |
| Fase cristalina | b |
| Conteúdo β | ≥99% |
| Ponto de fusão | 2700° |
| Temperatura de decomposição | 2830°±40° |
| Coeficiente de dilatação térmica | 2,5-7 x10 -6 /°C |
| Condutividade térmica | 0,255 W/cm K |
| Dureza de Mohs | 9,5-9,75 |
| Dureza Vickers (microdureza) | 3300-3500 kg/mm² |
| Gravidade específica | 3,216 g/cm³ |
Especificação.
| Especificação. | Tamanho | Pureza do SiC (%) | percentagem β | Forma |
| 5N-βSiC-100nm | 100nm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-300nm | 300nm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-500nm | 500nm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-2um | 2um | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-5um | 5µm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-10um | 10 µm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 5N-βSiC-10um | 50 µm | 5N | ≥99% | subesférico |
| 7N-βSiC-G | 1-10 mm | 7N | ≥99% | Partícula |
Aplicação
- Moagem fina
- Cerâmica de carboneto de silício de precisão
- Novas baterias de energia
- Semicondutores
- Revestimentos especiais
- Materiais de alta temperatura
- Componentes eletrónicos




